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HTRB (Tables 1A .. 1J)
TABLE 1A: MOSFET/IGBT single device
Date Code
# Part Number or Voltage
Test # [V]
1 IXBH16N170 TP0619 960
2 IXBH16N170 TP0619 960
3 IXBH40N160 1513 1280
4 IXDH20N120 1436 960
5 IXDH20N120D1 2065 960
6 IXEH28N60C2D2 1578 600
7 IXFA7N80P K533 640
8 IXFB100N50P SP0737 460
9 IXFB44N100P SP0721 800
10 IXFH12N120P SP0715 960
11 IXFH15N100P SK0636 800
12 IXFH20N100P SP0716 800
13 IXFH20N60 SK0544 480
14 IXFH22N50P N/A 400
15 IXFH26N60Q SK0604 480
16 IXFH69N30P SK0527 240
17 IXFK21N100Q SP0737 800
18 IXFK44N55Q SP0737 440
19 IXFL60N80P SP0605 640
20 IXFN82N60P TJ0645E 480
21 IXFP12N50PM K550 400
22 IXFQ14N80P SK0709 640
23 IXFR12N100Q TP0703 800
24 IXFR14N100Q2 SP0732 800
25 IXFR26N100P SP0742 800
26 IXFX48N50Q ZP0545 400
27 IXFX73N30Q SK0613 240
28 IXFX90N30 SK0613 240
29 IXGH20N170P K0716E1 960
30 IXGH20N170P TP0632 960
31 IXGH25N250 TJ0600E 960
32 IXGH28N60B3D1 SP0732 480
33 IXGH30N120B3 TP0606 960
34 IXGH36N60B3D1 SP0732 480
35 IXGH48N60B3 SK0607 480
36 IXGH64N60B3 SK0608 480
37 IXGH72N60B3 SK0608 480
38 IXGH8N100 N/N 800
39 IXGK28N140B3H1 TP0651 960
40 IXGN200N60A2 SP0723 480
41 IXGP120N33TBM-A K723 264
42 IXGP50N33TC K0652 264
43 IXGP70N33TBM-A K726 264
44 IXGP70N33TBM-A K728 264
45 IXGP90N33TB K06251 264
46 IXGP90N33TBM-A K06251 264
47 IXGQ120N30TCD1 SK0631 240
48 IXGQ120N33TB SK0651 264
49 IXGQ120N33TCD1 SK0639 264
50 IXGQ150N30TCD1 SK0631 240
51 IXGQ150N33TCD1 SK0639 264
52 IXGQ160N30PB SK0601 240
53 IXGQ160N30PB SK0601 240
54 IXGQ160N30PB SK0601 240
55 IXGQ160N30PB SK0601 240
56 IXGQ180N33TB SK0711 264
57 IXGQ180N33TC SK0649 264
58 IXGQ180N33TCD1 SK0639 264
59 IXGQ200N30PB SK0631 240
60 IXGQ240N30PB SK0631 240
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[hrs]
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168
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Sample
Size
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Failures
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
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0
0
0
0
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0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Device Hours
[hrs]
30000
30000
3360
3360
3360
20000
30000
30000
30000
30000
30000
30000
30000
30000
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30000
30000
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30000
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30000
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30000
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30000
30000
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60000
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相关代理商/技术参数
IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube